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碳化硅激光垂直剥离设备

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加工材料 SiC晶锭
切割尺寸(inch) 4/6/8/
最大切割厚度(mm) 50
材料损耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45
重复定位精度(μm) ±0.5
长宽高(mm) 1770×1720×1985
010-53602367
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产品详情

碳化硅激光垂直剥离设备是用于第三代半导体材料(碳化硅)晶锭切割的设备,全面兼容4/6/8英寸晶锭加工需求。设备集成多轴联动超精密运动平台及自主知识产权的高能激光调制系统,使用自研设计光路和软件实现智能路径规划和精密运动控制,创新性融合机器视觉引导系统与多光谱在线监测模块,构建了基于数字孪生的全流程闭环监控体系,从而实现对材料的高效加工,损耗少,出片率高。


加工工艺

碳化硅激光垂直剥离设备采用的加工工艺是使用激光剥离取代传统的线切割模式

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加工效果

1剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆.jpg1垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆.jpg
剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆


技术规格

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