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全自动碳化硅激光垂直剥离产线

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加工材料 SiC晶锭
切割尺寸(inch) 6/8/
最大切割厚度(mm) 50
材料损耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:10-15 8寸:15-20
重复定位精度(μm) ±0.5
长宽高(mm) 1770×1720×1985
010-53602367
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产品详情

全自动激光垂直剥离碳化硅产线是用于第三代半导体材料(碳化硅)晶锭切割、剥离、研磨、循环加工的设备线，可对6/8/寸SiC晶锭实现全自动循环加工分片。


加工工艺

激光垂直剥离碳化硅设备采用的加工工艺是使用激光剥离取代传统的线切割模式

产品1-1.jpg



加工效果

1剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆.jpg1垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆.jpg
剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆


技术规格

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